为限制中国获取某些高端芯片，2025年1月15日，美国商务部工业与安全局(BIS)发布了1项规则，更新对先进计算半导体的出口管制措施。评论截止日期为2025年3月14日。

　　美国认为中国等国家获取先进计算集成电路及相关技术可能威胁其国家安全和外交政策利益，自2022年10月7日起逐步实施一系列出口管制规则。此次规则修订旨在进一步加强管制效果，应对现有控制措施在确保集成电路是否符合性能阈值方面的不足，防止相关产品被转移至未经授权的用途和用户。先进计算集成电路对中国的技术和军事发展至关重要，中国寻求利用其发展先进计算系统和人工智能模型，这可能提升武器研发和军事决策能力，与美国国家安全和外交政策相悖。主要更新内容如下：

　　1、修订许可证例外：对人工智能授权(AIA)和先进计算制造(ACM)许可证例外进行修订，规定ECCNs 3A090.a、5A002.z.1.a等相关商品只有在由批准或授权的集成电路设计商设计时才符合这两个许可证例外的条件，以确保供应链安全，降低产品被转移的风险。

　　2、创建新的补充清单：在第740部分新增补充清单6和7，分别列出批准的集成电路设计商和批准的“外包半导体组装和测试(OSAT)”公司。同时明确了申请列入或移出这些清单的流程和标准，包括公司的业务记录、出口合规历史、防止资源滥用和转移的能力等因素。

　　3、规定报告要求：要求为授权集成电路设计师生产ECCN 3A090.a集成电路的“前端制造商”向BIS提交报告，包括授权集成电路设计师的相关信息、所售集成电路的详细情况等，并规定了报告的提交时间(从2025年5月31日起按季度提交)和提交方式(发送至EAR.Reports@bis.doc.gov)。

　　4、完善申请流程：修订了咨询意见流程，用于申请添加、修改或移除批准的集成电路设计商和OSAT公司清单中的企业。同时在第748部分新增第16节，详细说明了申请列入或移出这些清单的具体要求和流程，以及End - User Review Committee(ERC)在评估申请时考虑的因素。

　　5、定义新术语：在第772.1节新增“16/14纳米节点”“聚合近似晶体管数量”“适用的先进逻辑集成电路”“前端制造商”和“外包半导体组装和测试(OSAT)”等定义，以明确相关概念，便于公众理解和执行规则。同时修订了“先进节点集成电路”的定义，调整了动态随机存取存储器(DRAM)集成电路的相关参数。

　　6、澄清ECCN 3A090.a范围：在ECCN 3A090.a中新增注释1，规定当“前端制造商”或“OSAT”公司出口、再出口或转移(境内)“适用的先进逻辑集成电路”时，除非满足特定条件(如设计师为批准或授权的集成电路设计师、集成电路芯片由特定地点的前端制造商或批准的OSAT公司封装且符合晶体管数量等条件)，否则将被推定为3A090.a并适用于数据中心的相关规定。

　　7、修订FDP IFR相关内容

　　非商业管制清单(CCL)修订：包括修订§744.11等条款，调整许可证要求的产品范围、更新DRAM“先进节点集成电路”的定义、扩大某些实体的最终用户范围、修订相关文本和注释等，以确保管制措施的一致性和有效性。

　　商业管制清单修订：对3B001.f、3B993.f等相关的商品、软件和技术的控制措施进行修订，添加新的段落和控制内容，修改ECCNs的标题和相关交叉引用，使其与类似控制措施协调一致。

　　延长FDP IFR评论期：将FDP IFR的书面评论截止日期延长至2025年3月14日。

　　来源：tbtguide